...
机译:基于Al掺杂HFO_2的铁电电容器的物理性质通过原子层沉积在Si上生长
Natl Inst Res & Dev Microtechnol IMT Bucharest 126A Erou Iancu Nicolae St Bucharest 077190 Romania;
Natl Inst Res & Dev Microtechnol IMT Bucharest 126A Erou Iancu Nicolae St Bucharest 077190 Romania;
Natl Inst Res & Dev Microtechnol IMT Bucharest 126A Erou Iancu Nicolae St Bucharest 077190 Romania;
Natl Inst Res & Dev Microtechnol IMT Bucharest 126A Erou Iancu Nicolae St Bucharest 077190 Romania;
Natl Inst Res & Dev Microtechnol IMT Bucharest 126A Erou Iancu Nicolae St Bucharest 077190 Romania;
Univ Bucharest Phys Fac POB MG-11 Bucharest 077125 Romania;
Natl Inst Lasers Plasma & Radiat Phys POB MG-36 Bucharest 077125 Romania;
Natl Inst Mat Phys Atomistilor 405A Bucharest 077125 Romania;
Atomic layer deposition; Al-doped HfO2; Ferroelectric capacitors; Memory window;
机译:使用通过掺杂不同O_3剂量的原子层沉积制备的Al掺杂HfO_2铁电薄膜表征金属铁电金属绝缘体半导体结构
机译:用不同O_3剂量制备的铁电Al掺杂HFO_2薄膜的金属 - 铁金属 - 绝缘体 - 半导体结构的表征用不同的O_3剂量
机译:等离子体辅助原子层沉积生长的轻掺杂La:HfO_2薄膜的铁电性能
机译:Si,Ge,GaAs和GaN上的原子层沉积种植的HFO_2膜的结构和电学性能
机译:通过原子层沉积和物理气相沉积在燃料电池应用中生长的Pt在TiO2上的强金属支撑相互作用。
机译:组成界面和沉积顺序对原子层沉积在硅上生长的纳米Ta2O5-Al2O3薄膜电学性能的影响
机译:在微悬臂应用中生长在氧化物牺牲层上的BaTiO3基铁电电容器的电性能