首页> 外文期刊>RSC Advances >All-solution-processed, flexible thin-film transistor based on PANI/PETA as gate/gate insulator (vol 5, pg 105785, 2015)
【24h】

All-solution-processed, flexible thin-film transistor based on PANI/PETA as gate/gate insulator (vol 5, pg 105785, 2015)

机译:基于PANI / PETA的全解决方案,柔性薄膜晶体管为栅极/栅极绝缘体(Vol 5,PG 105785,2015)

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

Correction for 'All-solution-processed, flexible thin-film transistor based on PANI/PETA as gate/gate insulator' by Jin-Yong Hong et al., RSC Adv., 2015, 5, 105785-105788.
机译:基于PANI / PETA作为门/栅极绝缘体的校正“全溶液处理,柔性薄膜晶体管”,Jin-Yong Hong等,RSC ADV。,2015,5,105785-105788。

著录项

  • 来源
    《RSC Advances》 |2019年第7期|共1页
  • 作者单位

    MIT Dept Elect Engn &

    Comp Sci 77 Massachusetts Ave Cambridge MA 02139 USA;

    Seoul Natl Univ Sch Chem &

    Biol Engn Seoul 151747 South Korea;

    Dankook Univ Dept Polymer Sci &

    Engn Yongin 448701 South Korea;

    Dankook Univ Dept Polymer Sci &

    Engn Yongin 448701 South Korea;

    Seoul Natl Univ Coll Nat Sci Dept Chem Seoul 151747 South Korea;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 化学;
  • 关键词

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号