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公开/公告号CN111557051A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-08-18
原文格式PDF
申请/专利权人 应用材料公司;
申请/专利号CN201880085213.5
发明设计人 翟羽佳;芮祥新;赵来;任东吉;崔寿永;
申请日2018-11-20
分类号H01L29/786(20060101);H01L21/768(20060101);H01L21/3205(20060101);
代理机构11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司;
代理人徐金国;赵静
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2023-12-17 11:41:09
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-18
公开
机译: 包含聚酰亚胺衍生物的组合物,其用于制备有机栅极绝缘体和有机栅极绝缘体以及使用该薄膜绝缘体的有机薄膜晶体管
机译: 用于形成薄膜晶体管的有机栅极绝缘体的聚合物化合物和使用该薄膜晶体管的薄膜晶体管
机译: 用于形成薄膜晶体管的有机栅极绝缘体的高分子化合物和使用该高分子化合物的薄膜晶体管
机译:用于低压有机薄膜晶体管具有强氢键的解决方案,薄,薄,高κ介质聚脲栅极绝缘体
机译:具有高K Bi_(1.5)Zn_(1.0)Nb_(1.5)O_7栅极绝缘体的低压ZnO薄膜晶体管,用于透明和柔性电子
机译:用溅射法沉积高ksrta_2o_6作为栅极绝缘体的高k srta_2o_6改进无定形Ingazno薄膜晶体管
机译:用于无定形氧化物薄膜晶体管的高K溶液加工混合栅极绝缘体及其温度和厚度依赖性
机译:基于高k栅极绝缘体的低压有机薄膜晶体管
机译:用于a-IGZO薄膜晶体管的高κEr2O3和Er2TiO5栅极电介质的结构和电气特性
机译:以高k弛豫铁电聚合物为栅极绝缘体的可溶液处理的低压有机薄膜晶体管
机译:自对准aLD alOx T栅极绝缘体,用于siNx钝化alGaN / GaN HEmT中的栅极漏电流抑制