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Effect of Inductively Coupled Plasma on the Structural and Electrical Properties of Ti-Doped ITO Films Formed by IPVD

机译：电感耦合等离子体对IPVD掺杂Ti掺杂ITO薄膜结构和电学性能的影响

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In this study, we investigated Ti-doped ITO films formed through ionized physical vapor deposition (IPVD) using inductively coupled plasma (ICP). Ti-doped ITO thin films showed an enhanced mobility with ICP power; owing to the improved crystallinity, and the sheet resistance of the Ti-doped ITO (30 nm) largely decreased from 295.1 to 134.5 ohm/sq, even during at room temperature. Therefore, IPVD technology offers a useful tool for transparent electrodes with a large area window-unified touch-screen panel.
机译：在这项研究中，我们研究了通过电感耦合等离子体（ICP）通过电离物理气相沉积（IPVD）形成的Ti掺杂的ITO膜。掺杂钛的ITO薄膜在ICP功率下显示出更高的迁移率。由于改善了结晶度，即使在室温下，掺钛的ITO（30 nm）的薄层电阻也从295.1降低到134.5 ohm / sq。因此，IPVD技术为具有大面积窗口统一触摸屏的透明电极提供了有用的工具。

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