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机译:6H-SiC(0001)上宏观台阶的演变:杂质引起的台阶列车的形态不稳定性
Silicon-carbide; Sublimation growth; Crystal-surfaces; Sic(0001); Faces; 6h;
机译:6H-SiC(0001)上宏观台阶的演变:杂质引起的台阶列车的形态不稳定性
机译:具有3层高表面台阶的6H-SiC(0001)衬底上生长的AlN层中的螺纹位错阵列的形成机理
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机译:通过倾斜的低压扫描电子显微镜直接观察到4H / 6H-SiC {0001}上的表面步骤的边缘终止
机译:通过发光光谱和X射线衍射测定在6H-SiC(0001)衬底上生长的GaN和Al(x)Ga(1-x)N薄膜的应变和组成。
机译:过渡元件添加对Al(111)/ 6H-SiC(0001)界面的界面相互作用和电子结构的影响:第一原理研究
机译:具有3层高表面台阶的6H-SiC(0001)衬底上生长的AlN层中的螺纹位错阵列的形成机理