机译:Co(0001)上h-BN(0001)多层的原子层外延和h-BN(0001)/ Co(0001)上石墨烯的分子束外延生长
机译:Co(0001)上h-BN(0001)多层的原子层外延和h-BN(0001)/ Co(0001)上石墨烯的分子束外延生长
机译:GaN(0001)和GaN(0001?)层的分子束外延特性,采用不同的氮活化方法
机译:反应分子束外延在6H-SiC(0001)和GaN(0001)上生长的亚铁磁性Mn_4N(111)层
机译:(0001)Al / sub 2 / O / sub 3 /衬底上氨分子束外延生长期间纤锌矿GaN层极性的控制
机译:通过有机金属气相外延在6H-碳化硅(0001)衬底上横向生长氮化镓薄膜的横向外延技术。
机译:原子阶梯形蓝宝石(0001)衬底上NiO薄膜的层匹配外延
机译:使用氨分子束外延在4H-siC(0001)和si(111)衬底上以低生长速率生长的高质量alN(0001)层的原位NC-aFm测量