gallium compounds; III-V semiconductors; wide band gap semiconductors; molecular beam epitaxial growth; nucleation; surface morphology; wurzite GaN layer polarity; ammonia molecular beam epitaxy; (0001) Al/sub 2/O/sub 3/ substrate; epitaxial growth; GaN;
机译:金属有机气相外延和氨分子束外延在蓝宝石(0001)和Si(111)衬底上外延生长的GaN微细线和纳米线的极性
机译:金属有机气相外延和氨分子束外延在蓝宝石(0001)和Si(111)衬底上外延生长的GaN微细线和纳米线的极性
机译:通过分子束外延对GaN纳米线阵列的GaN纳米线阵列的选择性区域生长的极性控制的GaN / AlN成核层
机译:在(0001)Al {Sub} 3衬底上氨分子束外延初期生长初始阶段对紫立岩仪GaN层极性的控制
机译:微金属应用中通过金属有机气相外延生长在6H-SiC(0001)衬底上的GaN和AlGaN的生长,掺杂和表征。
机译:通过分子束外延在Si(111)衬底上生长GaN纳米壁网络
机译:使用氨分子束外延在4H-siC(0001)和si(111)衬底上以低生长速率生长的高质量alN(0001)层的原位NC-aFm测量