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吴凯;
北京大学化学与分子工程学院,北京100871;
机译:h-BN边界在强相互作用的Re(0001)上产生的不可修复的缺陷及其电子性质
机译:Co(0001)上h-BN(0001)多层的原子层外延和h-BN(0001)/ Co(0001)上石墨烯的分子束外延生长
机译:利用含有吡啶基的弹性体胶乳制备具有剥离结构和强离子界面相互作用的弹性体/硅酸盐层纳米化合物
机译:h-BN /石墨烯界面电子态的操作数纳米光电子能谱分析
机译:缺陷的硫化钼(0001)单晶表面上的表面缺陷与表面反应路径之间的关系
机译:Mott电荷密度波绝缘体1T-TaS2的畴壁处的相关电子态
机译:布里渊区自旋滤波机制增强TmR及相关性 Co(0001)/ h-BN / Co(0001)磁隧道结中的影响
机译:电子态理论与半导体缺陷复合物的形成能,间隙缺陷和晶体生长。
机译:不可重写的光盘以及使用缺陷区的当前控制信息控制不可重写的光盘上的缺陷区的方法和装置
机译:使用腺病毒重组体的细胞制备方法可用于生产包含腺病毒基因组E4区一部分的腺病毒缺陷体的细胞,至少对于重组腺病毒缺陷体的E4区储备液而言,纯化重组腺病毒缺陷体的重组AAV的制备方法
机译:h-BN h-BN在基板上形成六方氮化硼厚膜的方法以及由此形成的六方氮化硼厚膜层叠体
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