h-BN/グラフェン界面電子状態のオペランド・ナノ光電子分光解析

摘要

全物質中最高のキャリア移動度および飽和速度を有するグラフェンは，次次世代無線通信デバイス用材料として有望である．グラフェンをデバイス応用する場合の絶縁膜や下地基板として，平坦性に優れ，また，不純物ドーピングを抑制できる六方晶窒化硼素（h-BN）が適しているとされている．実際，h-BN上に作製したグラフェン・トランジスタ（GFET）では高い移動度60,000 cm~2v~(-1)s~(-1)が報告されている．H-BN/グラフェンの界面電子状態の解明が，GFETの大幅な性能向上のカギとなる知見を与えると考えられる．