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一种利用X射线光电子能谱仪快速刻蚀分析材料界面元素化学状态的方法

摘要

一种利用X射线光电子能谱仪快速刻蚀分析材料界面元素化学状态的方法,它涉及一种分析材料界面元素化学状态的方法。本发明目的是要解决采用半导体材料化合物或过渡族金属元素化合物时,在仅采用单粒子模式刻蚀膜层分析过程中,不能真实反映实际膜层化学元素化学状态,而采用团簇模式刻蚀膜层,无法实现快速分析的问题。方法:一、采用单粒子模式下去除表面层;二、采用团簇模式下进行界面层分析。本发明主要用于分析材料界面元素化学状态。

著录项

  • 公开/公告号CN110487833A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-11-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨工业大学;

    申请/专利号CN201910802555.0

  • 申请日2019-08-28

  • 分类号

  • 代理机构哈尔滨市松花江专利商标事务所;

  • 代理人岳泉清

  • 地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

  • 入库时间 2024-02-19 16:11:28

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-12-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N23/2273 申请日:20190828

    实质审查的生效

  • 2019-11-22

    公开

    公开

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