オージェ電子-光電子コインシデンス分光によるシリコン単結晶 表面および酸化シリコン超薄膜の局所電子状態の研究

摘要

固体表面界面の局所電子状態は固体内部（バルク）の電子状態と異なるため，基礎研究における重要な研 究対象である。特にシリコン（Si)単結晶清浄表面およ びSi単結晶上に作製した酸化シリコン（SiO_2/Si)超薄 膜表面界面の局所電子状態の研究は，金属酸化物半導 体電解効果トランジスター（metal-oxide-semiconductor field - effect transistor, MOS - FET)開発における ゲート絶縁膜の微細化，高集積化，低消費電力化の指 針を与えると期待されることから極めて重要である。 そこで本稿では，筆者らが最近行っているSi L_（23）VV オージェ電子-Si 2p光電子コインシデンス分光（Si- L(23） VV -Si-2p Auger photoelectron coincidence spectroscopy, APECS)によるSi単結晶清浄表面および SiO_2超薄膜の局所電子状態の研究を紹介する。