SiC(0001)上外延石墨烯的拉曼G峰劈裂

摘要

在本实验中，对N型4H-SiC(0001)碳化硅衬底上外延石墨烯样品进行拉曼测试。在无外加单轴应力和人为掺杂调控的情况下，发现了G峰的劈裂现象。光电子能谱分析石墨烯的层数在4-5层左右。发现当拉曼光斑从四层石墨烯区域向五层石墨烯区域移动时，G峰劈裂现象逐渐消失。认为G峰劈裂的原因是由于SiC衬底和偶数层石墨烯表面的吸附物破坏石墨烯的AB堆垛结构对称性，使拉曼禁戒的Eu模式成为拉曼允许模式。因此，在碳化硅外延的石墨烯样品上直接观察到G峰的劈裂，可以作为大面积高质量偶数层石墨烯的特征。这一发现将为碳化硅上外延大面积高质量偶数层石墨烯提供了一个快速、无损的检测方法。