机译:反应磁控溅射外延在Si(111)衬底上生长的InxAl1-xN核壳纳米棒的结构和组成演变
InAlN; core-shell; nanorods; sputtering; MSE; STEM; EDX;
机译:反应磁控溅射外延在Si(111)衬底上生长的InxAl1-xN核壳纳米棒的结构和组成演变
机译:在MgO(001)和(111)衬底上生长的反应磁控溅射异戊二烯c-(Ti_(0.37),Al_(0.63))N / c-TiN膜的旋节线分解过程中的位错结构和微应变演变
机译:在MgO(001)和(111)基板上生长的反应磁控溅射杂交杂交杂交C-(Ti_(0.37),Al_(0.63),Al_(0.63),Al_(0.63))N / C-TIN膜的脱位结构和微纹状体展开
机译:GaN缓冲层厚度对等离子辅助分子束外延技术在Si(111)衬底上生长的AlGaN / GaN基高电子迁移率晶体管结构的结构和光学性能的影响
机译:反应磁控溅射生长外延TiN(001)层的表面形貌演变。
机译:反应性磁控溅射外延在单模激光作用下在SiOx / Si(001)衬底上单晶纤锌矿GaN纳米棒的选择性区域生长
机译:反应性磁控溅射外延在单模激光作用下在SiOx / Si(001)衬底上单晶纤锌矿GaN纳米棒的选择性区域生长