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机译:合理加氢以增强ZnO基薄膜晶体管的迁移率和高可靠性:从仿真到实验
thin film transistors; ZnO; hydrogenation; mobility; reliability;
机译:合理加氢以增强ZnO基薄膜晶体管的迁移率和高可靠性:从仿真到实验
机译:由于脱氢机制,多晶硅薄膜晶体管的移动性增强
机译:TCAD仿真研究提高了SOI薄膜双极晶体管的击穿电压,降低了准饱和度以及自热效应,从而提高了可靠性:
机译:高迁移率非晶氧化铟锡薄膜晶体管的可靠性增强
机译:了解具有高k栅极介电常数的固溶处理金属氧化物薄膜晶体管的迁移率。
机译:纳米粒子和铜电极中诱导金属增强非晶In-Ga-Zn-O薄膜晶体管的迁移率
机译:通过供应优化的氧气和氢气对高度稳定的顶部栅极结构高迁移率氧化物薄膜晶体管来定制优化的氧气和氢气的界面
机译:氢化ZnO基薄膜晶体管的研究。第1部分。