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氧化锌薄膜生长与ZnO基薄膜晶体管制备

     

摘要

The ZnO films were deposited on the substrate of glass by MOCVD. The X-ray diffraction pat- terns of samples show sharp diffraction peaks ZnO(0 0 2),indicating that the films were highly c-axis ori-ented. Based on the ZnO film,we fabricated ZnO thin film transistor(ZnO-TFT).%通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长ZnO薄膜.XRD测试显示出(002)晶面的强衍射峰,表明生长的ZnO 薄膜是主度的c轴取向.基于 ZnO 薄膜基础,我们制备了 ZnO 基薄膜晶体管.

著录项

  • 来源
    《电子器件》|2008年第1期|115-116|共2页
  • 作者单位

    长春光学精密机械与物理研究所;

    中国科学院研究生院;

    长春光学精密机械与物理研究所;

    中国科学院研究生院;

    长春光学精密机械与物理研究所;

    中国科学院研究生院;

    吉林大学;

    吉林大学;

    长春光学精密机械与物理研究所;

    中国科学院研究生院;

    吉林建筑工程学院;

    吉林大学;

    吉林建筑工程学院;

    长春光学精密机械与物理研究所;

    中国科学院研究生院;

    长春光学精密机械与物理研究所;

    中国科学院研究生院;

    长春光学精密机械与物理研究所;

    中国科学院研究生院;

    长春光学精密机械与物理研究所;

    中国科学院研究生院;

    长春光学精密机械与物理研究所;

    中国科学院研究生院;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 PNPN四层结构器件;
  • 关键词

    氧化锌; 薄膜晶体管; MOCVD;

  • 入库时间 2022-08-18 02:52:18

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