MOCVD法により作製したGaAs基板上GaInNAs埋め込みInAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振

橋本玲; 櫛部光弘; 江崎瑞仙; 西岡政雄; 荒川泰彦; Rei HASHIMOTO; Mitsuhiro KUSHIBE; Mizunori EZAKI; Masao NISHIOKA; Yasuhiko ARAKAWA

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MOCVD法により作製したGaAs基板上GaInNAs埋め込みInAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振

机译：通过MOCVD法在GaAs衬底上嵌入GaInNAs的InAs量子点激光器的1.3μm室温连续振荡

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GaAs基板上の量子ドットレーザは，低しきい値電流密度，温度無依存性や高速変調時の波長チャープが小さい等の特徴から，高性能な光通信用1.3μm帯光源として研究が進められている．今回我々は，MOCVD法による量子ドットレーザの作製において，InAs量子ドットの歪み緩和層にGaInNAs層を用いることで発振波長の長波長化を試み，波長1.31μmにおける低しきい値電流密度0.4kA/cm{sup}2での室温連続発振を達成した．

机译：由于GaAs基板上的量子点激光器具有诸如低阈值电流密度，温度独立性和高速调制过程中的小波长分布等特性，因此已被研究用作高性能1.3μm波段光通信光源。有。这次，在通过MOCVD法制造量子点激光器的过程中，我们尝试通过使用GaInNAs层作为InAs量子点的畸变弛豫层来延长振荡波长，并试图延长振荡波长和低阈值电流密度0.4 kA /在cm {sup} 2处实现了连续的室温振荡。

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来源
《電子情報通信学会技術研究報告. レ-ザ·量子エレクトロニクス. Lasers and Quantum Electronics》 |2007年第125期|共6页
作者
橋本玲; 櫛部光弘; 江崎瑞仙; 西岡政雄; 荒川泰彦; Rei HASHIMOTO; Mitsuhiro KUSHIBE; Mizunori EZAKI; Masao NISHIOKA; Yasuhiko ARAKAWA;
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作者单位

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原文格式 PDF
正文语种 jpn
中图分类基础理论;
关键词
量子ドット; レーザ; GaAs基板; Quantum Dot; Laser; GaAs substrate; GaInNAs; InAs; 1.3μm;

机译：量子ドット;レーザ;GaAs基板;Quantum Dot;Laser;GaAs substrate;GaInNAs;InAs;1.3μm;

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