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首页> 外文期刊>電子情報通信学会技術研究報告. レ-ザ·量子エレクトロニクス. Lasers and Quantum Electronics >MOCVD法により作製したGaAs基板上GaInNAs埋め込みInAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振
【24h】

MOCVD法により作製したGaAs基板上GaInNAs埋め込みInAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振

机译：1.3μm带温度连续振荡的GaInnas嵌入式量子点激光器在MOCVD方法制造的GaAs基板上

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GaAs基板上の量子ドットレーザは，低しきい値電流密度，温度無依存性や高速変調時の波長チャープが小さい等の特徴から，高性能な光通信用1.3μm帯光源として研究が進められている．今回我々は，MOCVD法による量子ドットレーザの作製において，InAs量子ドットの歪み緩和層にGaInNAs層を用いることで発振波長の長波長化を試み，波長1.31μmにおける低しきい値電流密度0.4kA/cm{sup}2での室温連続発振を達成した．
机译：GaAs基板上的量子点激光器是高性能光学通信1.3μm带光源，其特性，例如高速调制下的低阈值电流密度，温度独立性和波长啁啾。有。 这次我们尝试通过使用MOCVD方法使用GainNAS层在制备量子点激光器中使用GainNAS层来延长振荡波长，试图通过使用GainNAS层延长振荡波长，并且波长为1.31的低阈值电流密度达到μm/室温连续振荡，实现了Cm {sup} 2。

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