放熱性や整合性を良くするための構造の工夫を知ろう：FETの種鞍と使うときのコツ

摘要

低周波領域で使う半導体としてシリコン·バイポーラ·トランジスタが一般的ですが，マイクロ波領域ではその動作周波数が高いことから，電子移動度が高い砒化ガリウム（GaAs）を半絶縁性基板として使った電界効果トランジスタ（GaAsFET）が，通常使われます．GaAsFETは，GaAs半絶縁性基板に形成された動作層に，ゲー帽極をショ射キー接合させることで構成します．このような構成のGaAsFETを特にGaASMES（MEtalSemiconductor）FETと呼びます．市販されているマイクロ波用FETのほとんどは，このGaASMESFETの技術を使って製造しています．マイクロ波用FETは，半導体素子の状態でも市販されていますが，多くの場合ヾッケージに細み込まれ，個々にマイクロ波特性を保証して販売されています．素子状態で使用するのは主にミリ波帯などで，組み立てに特殊な技術が必要なため，ごく限られた分野となります．本章では，パッケージ形態で市販されるFETを中心に説明していきます．GaAsFETは，用途とパッケージ内部の違いから分類できます．用途による分類は，主に扱うマイクロ波信号の大きさで，パッケージ内部による分類は内部に半導体素子以外の部品を組み込んでいるかどうかの違いです．この分類にしたがってFETの種類について説明していきます．