机译:一种新的CMP去除率稳定技术,利用从焊盘表面抽吸浆液
Chemical mechanical polishing; LSI wafer planarization; Stock removal rate; Real contact area; Pad conditioning; Slurry suction;
机译:一种新的CMP去除率稳定技术,利用从焊盘表面抽吸浆液
机译:勘误到:“抛光垫处理过程对氧化物CMP的温度影响:抛光垫,浆料特性和表面反应” [Microelect。 。 83(2006)362-370]
机译:抛光垫处理工艺对氧化物CMP的温度影响:抛光垫,浆料特性和表面反应
机译:新的浆料回流机制可稳定浆料流量以提高CMP的去除率
机译:用于化学机械平面化的浆液流动,传质,表面动力学和去除速率模型。
机译:通过不同的微藻栽培技术筛选微藻以去除沼气中的整体养分和提高沼气的利用率
机译:铜CMP浆料中保证分散稳定性的去除率优化
机译:使用从工艺温度和载体电机电流测量获得的橡皮布去除率数据和端点数据预测钨Cmp垫寿命