机译:勘误到:“抛光垫处理过程对氧化物CMP的温度影响:抛光垫,浆料特性和表面反应” [Microelect。 。 83(2006)362-370]
Research Institute of Energy Resources Technology, Chosun University, Gwangju 501-759, Republic of Korea;
机译:抛光垫处理工艺对氧化物CMP的温度影响:抛光垫,浆料特性和表面反应
机译:调节温度对氧化物化学机械抛光工艺抛光垫的影响
机译:控制抛光垫调节温度的化学机械抛光工艺后的氧化铟锡薄膜特性
机译:CMP抛光垫修整剂的性能和性能对抛光垫,工艺和硅片去除率的影响
机译:二氧化硅,铜和钨化学机械平面化过程的新型研究与垫调节和微观纹理,浆料纳米粒子,摩擦学和动力学相关
机译:过氧化氢和氧化铝对柠檬酸浆料中铜化学机械抛光表面特性的影响