公开/公告号CN102290350B
专利类型发明专利
公开/公告日2015-10-28
原文格式PDF
申请/专利权人 飞兆半导体公司;
申请/专利号CN201110166929.8
发明设计人 托马斯·E·格雷布斯;
申请日2011-06-20
分类号
代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司;
代理人李丙林
地址 美国缅因州
入库时间 2022-08-23 09:30:15
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-10-28
授权
授权
2013-07-24
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/329 申请日:20110620
实质审查的生效
2011-12-21
公开
公开
机译: 使用CMP技术的具有平坦表面的沟槽式MOS势垒肖特基整流器
机译: 使用CMP技术的具有平坦表面的沟槽式MOS势垒肖特基整流器
机译: 使用CMP技术的平面型Trench MOS势垒肖特基整流器