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郑柳; 张峰; 刘胜北; 董林; 刘兴昉; 刘斌; 闫果果; 王雷; 赵万顺; 孙国胜;
中国半导体行业协会;
中国电子科技集团公司第十三研究所;
肖特基二极管; 氮化硅; 结构设计; 电学特性;
机译:肖特基势垒二极管壁集成沟槽MOSFET的4H-SiC m面{1(1)over-bar00}上的肖特基势垒高度的评估
机译:4H-SiC肖特基势垒二极管,结屏障肖特基二极管和引脚二极管的温度传感性能比较
机译:后退火工艺可改善Ti / Al 4H-SiC肖特基势垒二极管中肖特基势垒高度的不均匀性
机译:Mo肖特基势垒二极管在4H-SiC上的势垒不均匀性
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机译:具有增强的横向肖特基势垒均质性的低功率石墨烯/ ZnO肖特基UV光电二极管
机译:高能电子辐照对肖特基势垒高度和Ni / 4H-siC肖特基二极管的Richardson常数的影响
机译:一种无晶须肖特基势垒二极管的制作与优化
机译:肖特基势垒二极管(SBD)及其下冲合并PN /肖特基二极管或结势垒肖特基(JBS)二极管
机译:SiC宽沟槽型结势垒肖特基二极管及其制造方法
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