Trapezoid mesa trench metal-oxide semiconductor barrier Schottky rectifier: an improved Schottky rectifier with better reverse characteristics

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• 来源
  《中国物理：英文版》 |2011年第8期|376-383|共8页
• 作者

  Li Wei-Yi; Ru Guo-Ping; Jiang Yu-Long; Ruan Gang;

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• 作者单位

  State Key Laboratory of ASIC and System Department of Microelectronics Fudan University Shanghai 200433 China;

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• 收录信息 中国科学引文数据库(CSCD);中国科技论文与引文数据库(CSTPCD);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类
• 关键词