スピンエレクトロニクス－ナノ領域がもたらす技術革新：スピンエレクトロニクス研究を応用した素子の開発

摘要

磁気ランタムアクセスメモリ(MRAM)は、不揮発メモリとして優れたポテンシャルを有し、スピンエレクトロニクス分野を牽引する電子デバイスである。 ここでは、MRAMの作製フロセス、動作原理を紹介し、最近の研究動向について述べる。磁気ランダムアクセスメモリ（MRAM: Magneto-resistive Random Access Memory、磁気抵抗メモリ）は、ハードディスクと並んでスピンエレクトロニクスの代表的応用例であり、現在研究開発が盛んに進められている。 MRAMは、不揮発である点に大きな特徴を持つが、高書き換え耐性、高速動作、半導体素子との高い親和性などの優れたポテンシャルを有し、ユニバーサルメモリとして注目されている。