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自旋电子学、自旋电子器件及GaAs中电子自旋弛豫研究

     
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摘要

评述了自旋电子学及自旋电子器件的发展,自旋电子器件的应用,半导体自旋电子学的研究内容及目前的研究现状.给出了我们的有关GaAs中电子自旋偏振与相干弛豫的研究结果.

著录项

  • 来源
    《红外与毫米波学报》|2005年第3期|189-192|共4页
  • 作者

    赖天树; 刘鲁宁; 寿倩; 雷亮; 文锦辉; 林位株;

  • 作者单位

    中山大学,物理系,光电材料与技术国家重点实验室,广东,广州,510275;

    中山大学,物理系,光电材料与技术国家重点实验室,广东,广州,510275;

    中山大学,物理系,光电材料与技术国家重点实验室,广东,广州,510275;

    中山大学,物理系,光电材料与技术国家重点实验室,广东,广州,510275;

    中山大学,物理系,光电材料与技术国家重点实验室,广东,广州,510275;

    中山大学,物理系,光电材料与技术国家重点实验室,广东,广州,510275;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 光学性质;激光光谱;
  • 关键词

    自旋电子学; 自旋电子器件; 自旋弛豫; GaAs;

  • 入库时间 2023-07-25 20:02:33

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