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目录
1 绪论
1.1半导体硅基电子学
1.2自旋电子学
1.3 基于石墨烯的电子学
1.4 本文的主要研究目的
2 理论基础与计算方法
2.1 第一性原理方法简介
2.2 计算软件简介
3 石墨烯纳米带中的自旋塞贝克效应和热致庞磁阻效应
3.1基于石墨烯纳米带的异质结设计
3.2 计算方法和参数设定
3.3自旋塞贝克效应与庞磁阻效应
3.4 本章小结
4 6,6,12型石墨炔纳米带的输运性质和器件设计
4.1 6,6,12型石墨炔的二维结构和电子性质
4.2 6,6,12型石墨炔纳米带的输运性质
4.3 基于6,6,12型石墨炔纳米带的金属-半导体异质结器件
4.4 基于6,6,12型石墨炔纳米带的金属-半导体-金属结器件
4.5 基于6,6,12型石墨炔纳米带的热激发自旋电子学器件
4.6本章小结
5 α型石墨炔纳米带的输运性质和器件设计
5.1α型石墨炔的结构和电子性质
5.2α型石墨炔纳米带的结构和电子性质
5.3 zigzag边缘α型石墨炔纳米带输运性质
5.4 zigzag边缘α型石墨炔纳米带器件设计
5.5 本章小结
6 Zigzag边缘双层石墨烯纳米带的输运性质研究
6.1 双层石墨烯的电子结构
6.2 Zigzag边缘双层石墨烯纳米带的输运性质
6.3 本章小结
7 全文总结和展望
7.1 全文总结
7.2 下一步的工作和展望
致谢
参考文献
附录 攻读博士学位期间已发表或正在完成的学术论文