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含内建电场的自旋阀和包含所述自旋阀的自旋电子器件

摘要

本公开的示例性实施例提供了一种自旋阀和包括所述自旋阀的自旋电子器件。所述自旋阀可以包括依次堆叠的两个或多个磁性层,其中所述自旋阀还包括:至少一对非磁性半导体层,设置在所述两个或多个磁性层中的任意两个相邻磁性层之间,其中所述至少一对非磁性半导体层之间形成有内建电场。

著录项

  • 公开/公告号CN110867514B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-09-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN201911124047.8

  • 发明设计人 王开友;朱文凯;胡策;

    申请日2019-11-14

  • 分类号H01L43/08(20060101);H01L43/02(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人纪雯

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2022-08-23 12:33:03

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