公开/公告号CN110867514B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-28
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN201911124047.8
申请日2019-11-14
分类号H01L43/08(20060101);H01L43/02(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人纪雯
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2022-08-23 12:33:03
机译: 以及形成自旋电子器件的自旋阀结构,底部自旋阀结构以及用于自旋电子器件的微波辅助磁记录的方法
机译: 自旋阀磁阻器件由多层堆叠组成,这些层包含不连续的介电层或半导体层以及导电桥以局部集中自旋电流
机译: 包含自旋镜的电子反射的自旋阀装置