MOCVD法によるsapphire上への（Si）（Ga）AlC（P）薄膜の成長

摘要

有機金属気相成長（MOCVD）法を用い，Sapphire基板上にトリメチルアルミニウム（Al（CH_3）_3），メタン（CH_4），を供給し，1100℃以上で反応させることで，アルミニウムカーバイド（Al_4C_3）の薄膜が成長した．このAl_4C_3 を基に，ホモ接合の作製のためにSi，Pによるドーピングを行った．続いてヘテロ構造の作製のためにガリウムカーバイド（GaC）という新たな材料をAl_4C_3上に作製した．