MOCVD 法によるsapphire 上への（Si）（Ga）AlC（P）薄膜の成長

摘要

Al_4C_3 film was grown by MOCVD by supplying TMA, CH_4 on sapphire. Si and P were supplied to make it to dope to n-type. The P-inclusion makes CL to increase. The new GaC was grown to MOCVD by adding TMG to make a hetero-structure. The growth condition was summarized.%有機金属気相成長（MOCVD）法を用い，Sapphire 基板上にトリメチルアルミニウム（Al（CH_3）_3），メタン（CH_4），を供給し，1100℃以上で反応させることで，アルミニウムカーバイド（Al_4C_3）の薄膜が成長した．このAl_4C_3 を基に，ホモ接合の作製のためにSi，Pによるドーピングを行った．続いてヘテロ構造の作製のためにガリウムカーバイド（GaC）という新たな材料をAl_4C_3上に作製した．