机译:具有源极对地结构的Si衬底上的350V / 150A AlGaN / GaN功率HFET
GaN; Si基板; パワーデバイス; 低オン抵抗; 高耐圧; 裏面フィールドプレート; GaN; Si substrate; high power switching device; low specific on-state resistance; high breakdown voltage; back-side field plate;
机译:具有源极对地结构的Si衬底上的350V / 150A AlGaN / GaN功率HFET
机译:具有源极接地结构的Si衬底上的350V / 150A AlGaN / GaN功率HFET
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