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机译:具有源极接地结构的Si衬底上的350V / 150A AlGaN / GaN功率HFET
Si基板; パワーデバイス; 低オン抵抗; 高耐圧; 裏面フィールドプレート; GaN; Si substrate; High power switching device; Low specific on-state resistance; High breakdown voltage; Back-side field plate;
机译:具有源极接地结构的Si衬底上的350V / 150A AlGaN / GaN功率HFET
机译:350V / 150A AlGaN / GaN电源HFET在SI板上使用源啤酒接地结构
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