SiCパワー半導体デバイスの特徴と最近の開発動向

摘要

ここで、特に高い耐圧、低いオン抵抗、高速スイッテングは互いにトレードオフの関係にあり、すべての性能を満足させることは困難である。たとえば、Siパワーデバイスでは、600V以上の耐圧を有するデバイスは一般にオン抵抗が高く、スイッチングが遅い。実際、多くのインバータ等で電力変換効率が85～95％程度にとどまっており、実に約10％のエネルギーが電力変換時に廃熱となっている。本稿で述べるSiC（シリコンカーバイド、炭化珪素）パワーデバイスは、Siでは達成できない耐圧とオン抵抗のトレードオフを実現し、かつ高速スイッチングと高温動作を可能とする夢のような次世代パワーデバイスである。