酸化物半導体パワーデバイスの研究開発動向:酸化物の特徴を活かした低コスト·高性能のデバイスを目指して

摘要

以上，Ga_2O_3の材料とデバイスについて最近の進 展を述べた。本稿のまとめとして，パワーデバイス としての将来についての私見を述べたい。言うまでもなく，パワーデバイスの分野では，SiCとGaNが圧倒的に先行している。すでに実績の あるSiCとGaNに割って入るのは相当困難である。 正面からの戦いを避け，少なくとも当面はSiCと GaNでは不可能な分野を目指すことが賢明であろう。 となると，より高耐圧かより安価ということになる。