Спиновое расщепление Рашбы и обменное усиление g-фактора в гетероструктурах InAs/AlSb с двумерным электронным газом

摘要

С использованием 8-зонного к р гамильтониана исследовано обменное усиление g -фактора квазичастиц в гетероструктурах InAs/AlSb с двумерным электронным газом со спиновым расщеплением Рашбы. Показано, что в слабых магнитных полях учет спинового расщепления Рашбы приводит к значительному увеличению амплитуды осцилляций g-фактора квазичастиц, перенормированного обменным взаимодействием. Из анализа осцилляций Шубникова-де Гааза при температуре 250 мК определена величина расщепления Рашбы и g -фактора квазичастиц. Полученные экспериментальные значения находятся в хорошем согласии с теоретическими расчетами, выполненными с учетом асимметричного ?встроенного" электрического поля в гетероструктурах InAs/AlSb.