首页> 中文期刊> 《北京大学学报：自然科学版》 >北京大学宽禁带半导体研究团队GaN基异质结构二维电子气自旋性质研究上取得重要进展

北京大学宽禁带半导体研究团队GaN基异质结构二维电子气自旋性质研究上取得重要进展

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

著录项
相似文献
相关主题

著录项

来源
《北京大学学报：自然科学版》 |2008年第6期|852-852|共1页
作者

展开▼
作者单位

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类化合物半导体;
关键词
宽禁带半导体; 二维电子气; 异质结构; 北京大学; GaN; 中国科学院半导体研究所; 性质; 自旋;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中二维电子气的自旋性质 [J] . 唐宁 ,沈波 ,韩奎 . 微纳电子技术 . 2009,第2期
2. BST/AlGaN/GaN铁电/半导体异质结构二维电子气研究 [J] . 孔月婵 ,薛舫时 ,周建军 . 半导体技术 . 2008,第S1期
3. 基于宽禁带GaN基异质结结构的垂直型高温霍尔传感器 [J] . 曹亚庆 ,黄火林 ,孙仲豪 . 物理学报 . 2019,第015期
4. 宽禁带GaN基半导体激光器进展 [J] . 章蓓 . 半导体光电 . 2001,第1期
5. AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的高温输运性质 [J] . 陶春旻 ,陶亚奇 ,陈诚 . 半导体学报：英文版 . 2006,第7期
6. BST/AlGaN/GaN铁电/半导体异质结构二维电子气研究 [C] . 孔月婵 ,薛舫时 ,周建军 . 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 . 2008
7. 自旋注入宽禁带半导体ZnO及新型FMS/NM/FMS异质结的自旋注入分析 [A] . 季刚 . 2006

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号