Подвижность и дрейфовая скорость электроновв селективно-легированных гетероструктурах InAIAs/InGaAs/InAIA_s

摘要

Экспериментально получено повышение подвижности и дрейфовой скорости электронов в сильныхэлектрических полях в квантовых ямах селективно-легированных гетероструктур InAIAs/InGaAs/InAIAs путем регулирования состава полупроводников, составляющих интерфейс. В метаморфной структуре In_(0.8).Ga_(0.2)As/In_(0.7)Al_(0.3)As с высокой мольной долей In (0.7-0.8) на интерфейсе подвижность электроновдостигает 12.3 · 10~3 см~2 · В~(-1) · с~(—1)при комнатной температуре. Получено увеличение подвижности электронов в 1.1-1.4 раза при введении тонких (1-3 им) слоев InAs в квантовую яму селективно-легированньIXгетероструктур In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As. Максимальная дрейфовая скорость достигает 2.5 · 10' см/с вэлектрических полях 2-5 кВ/см. Величина порогового поля F_(th_ для междолинного Г—L переброса электронов (эффект Ганна) в квантовой яме InGaAs в 2.5-3 раза выше, чем в объемном материале. Установлен эффект двух/трехкратного снижения величины порогового поля Fth н квантовой яме InGaAs при увеличении мольнойдоли 1n в барьере InA1As, а также при введении тонких 1пАв-вставок в квантовую яму InGaAs.