Оптические свойства InGaAs/InAIAs метаморфных наногетероструктур для фотопреобразователей лазерного и солнечного излучения

摘要

Методом спектроскопии отражения на специально созданных гетероструктурах брэгговских отражателей определены показатели преломления наноразмерных слоев In_xAl_yGa~(1-x-y)As и In_xAl~(1-x)As с концентрациями индия x =0.21-0.24 и алюминия у = 0, 0.10, 0.20 в диапазоне длин волн 700-2000 nm. Продемонстрирована применимость метода, основанного на анализе авто- и кросс-корреляционных коэффициентов производных по длине волны в зависимости от величины отражения таких структур для нахождения дисперсионных кривых материалов, формирующих отражатель. Установлено,что увеличение концентрации индия в InGaAs и AlInAs приводит к существенному росту показателя преломления при сохранении спектрального хода значений показателя преломления, характерного для арсенида галлия и арсенида алюминия.