22nm世代対応の空孔率増大の低誘電率絶縁膜

摘要

NEDO技術開発機構の研究プロジェクトは、LSI内のトランジスタ配線間を電気的に分離するために多孔質シリコン酸化膜（ポーラスシリカ）を採用した低誘電率絶縁膜（Low－k）を開発し基本性能を実証した。 アルバックと三井化学が材料開発に携わったほか、2層配線構造を作製しNECエレクトロニクスが膜強度、半導体先端テクノロジーズ（セリート）が電気特性や信頼性の特性評価を実施した。 2013年以降の実用化が見込まれる22nm世代の半導体に用いる。