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【24h】

低誘電率層間絶縁膜の熱応力と周辺構造におよぼすアンダーフィル物性の影響

机译:底层物理性质对低介电常数层间绝缘膜的热应力和外周结构的影响

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摘要

近年,急速に高集積化の進む高密度半導体パッケージの開発において,製造工程中の低誘電率層間絶縁膜(Low-k層)の破壊が問題となっている.これを防止する周辺構造および材料の検討には,有限要素法解析(FEM)が有力であるが,Siや基板などの部材に比較して極めて薄いLow-k層をFEMモデルで再現するためには膨大な規模のモデリングが必要となる.
机译:近年来,在高密度半导体套件的发展中快速推进高集成,在制造过程中破坏低介电常数梭菌(低k层)是一个问题。外围结构和材料以防止这种情况,有限元方法分析(FEM)是强大的,但与Si和板等零件相比,需要大量的建模模型来重现有组织的极薄的低k层。成为。

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