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具有低介电常数绝缘膜的半导体器件及其制造方法

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一种半导体器件包括形成在半导体衬底(101)上的第一绝缘膜(102)。布线图案(103)部分地形成在第一层间绝缘膜(102)上。形成第二绝缘膜(105)用来覆盖第一绝缘膜(102)和布线图案(103)。第三绝缘膜(106)形成在第二绝缘膜(105)上。在这种情况下，至少第一绝缘膜(102)的上表面部分具有低于第二绝缘膜(105)的水分含量百分比。

著录项

公开/公告号CN1139977C

专利类型发明授权
公开/公告日2004-02-25

原文格式PDF
申请/专利权人恩益禧电子股份有限公司;
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申请/专利号CN99100191.5
发明设计人宇佐美达矢;小田典明;
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申请日1999-01-18
分类号H01L21/768;H01L21/31;H01L23/52;
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人朱进桂
地址日本神奈川县
入库时间 2022-08-23 08:56:20

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-02-19

专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 21/768 授权公告日:20040225 申请日:19990118

专利权的终止
2014-11-05

专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/768 变更前: 变更后: 登记生效日:20141020 申请日:19990118

专利申请权、专利权的转移
2014-11-05

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/768 变更前: 变更后: 登记生效日:20141020 申请日:19990118

专利申请权、专利权的转移
2014-11-05

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/768 变更前: 变更后: 登记生效日:20141020 申请日:19990118

专利申请权、专利权的转移
2010-10-20

专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L21/768 变更前: 变更后: 申请日:19990118

专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2010-10-20

专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/768 变更前: 变更后: 申请日:19990118

专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2010-10-20

专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/768 变更前: 变更后: 申请日:19990118

专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2004-02-25

授权

授权
2004-02-25

授权

授权
2004-02-25

授权

授权
2003-07-16

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更前: 变更后: 登记生效日:20030530 申请日:19990118

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
2003-07-16

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更前: 变更后: 登记生效日:20030530 申请日:19990118

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
2003-07-16

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更前: 变更后: 登记生效日:20030530 申请日:19990118

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
2003-07-16

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更前: 变更后: 登记生效日:20030530 申请日:19990118

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
1999-07-28

公开

公开
1999-07-28

公开

公开
1999-07-28

公开

公开
1999-06-30

实质审查请求的生效

实质审查请求的生效
1999-06-30

实质审查请求的生效

实质审查请求的生效
1999-06-30

实质审查请求的生效

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