高誘電率のLaAlO_3ゲート絶縁膜を開発22nm世代以降のロジックLSI向け

摘要

東芝は、国際半導体術ロードマップでは2016年以降に商用量産されるという22nm世代以降のロジックLSI向けの高誘電率（high-k）ゲート絶縁膜を開発した（Fig1）。 この絶縁膜の材料は、LaAlO_3（ランタンアルミネート）。 現在は材料研究の段階であるが、今後、LSIレベルに実用化していくために、この分野のコンソーシアムや国家プロジェクトと協力して研究を進めていくという。