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熊绍珍; 谷纯芝; 李峻峰; 周桢华; 孟志国; 代永平; 张建军; 丁世斌; 赵颖;
南开大学;
Al栅; 非晶硅; 薄膜晶体管; 阳极氧化; 栅绝缘膜;
机译:肖特基接触栅四探针a-Si:H TFT结构:研究a-Si:H TFT电不稳定性的新结构
机译:通过Cat-CVD法制备用于底栅型TFT的SiN_x栅绝缘膜
机译:具有各种绝缘体层的顶栅和底栅ZnO-TFT的制备和比较研究
机译:掺氮对Al_2O_3栅绝缘膜影响的理论研究
机译:对开发稳定的磷化铟绝缘栅场效应晶体管的研究。
机译:并五苯薄膜晶体管中具有Al / TiO2 / Au和Sol-Gel绝缘体的1T1R非易失性存储器用于锆酸镍钡栅
机译:用于半导体器件的高介电常数栅绝缘膜和全硅化物金属栅电极的研究
机译:在(x)al(1-x)as / Inp异质结绝缘栅场效应晶体管(HIGFET)
机译:一种具有高介电常数栅氧化膜形成方法,边界层还原法,高介电常数栅绝缘膜,高介电常数栅绝缘膜和高k栅氧化膜的晶体管,
机译:半导体器件VDMOS具有栅绝缘膜,该栅绝缘膜具有与漂移区接触的高介电常数部分,以缓和栅绝缘膜中产生的电场
机译:TFT硅膜中金属诱导自对准结晶的半导体器件,顶栅型TFT和顶栅型TFT的制造方法
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