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孟志国; 代永平; 莫希朝; 周祯华; 张建军; 熊绍珍;
南开大学光电子所;
TFT; 双栅; 迁移率; 蚀刻; 工作电流; 成品率; 性能; 膜电阻; 双层膜; 矩阵;
机译:具有不同绝缘层的顶栅和底栅ZnO-TFT的制备和比较研究
机译:肖特基接触栅四探针a-Si:H TFT结构:研究a-Si:H TFT电不稳定性的新结构
机译:大型a-Si薄膜晶体管中栅极绝缘层和a-Si层的最佳工艺集成
机译:用于低剂量X射线成像的三维鳍形双栅光敏a-Si:H薄膜晶体管
机译:氮结合的氧化f栅介电薄膜和钛基金属栅电极用于双栅应用。
机译:面向增强模式特性的具有双AlGaN势垒设计的嵌入式栅AlGaN / GaN MIS-HEMT研究
机译:绝缘栅双极晶体管电力装置包装绝缘层中累积电荷检测的传感器
机译:双栅反射器天线系统的理论研究
机译:集成电路装置电可擦可编程ROM具有在浮栅绝缘层上形成的浮栅导电层,该浮栅绝缘层包括靠近沟槽中的填充区域的变薄部分
机译:分裂栅闪存器件的制造涉及在衬底的暴露部分上形成栅绝缘层,以及形成与第一栅的一侧重叠的第二栅,其中分裂栅由第一栅和第二栅构成。
机译:包括第一栅绝缘层和第二栅绝缘层的场效应晶体管,显示元件,图像显示装置和包括场效应晶体管的系统
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