用于45nm及以下集成电路工艺的高介电常数绝缘栅材料

摘要

金属-氧化物-半导体结构（MOS）是目前电子器件中最重要的器件之一，现代电子技术可以说是建立在MOS器件之上的。随着集成电路技术的不断发展，MOS技术到达了一个关键的转折点．由于器件尺寸不断缩小，导致MOS中氧化层厚度相应减小，电子的隧道穿透效应逐渐显现出来，引起的棚极-沟道漏电流急剧增大，导致器件发热量增加、性能下降甚至失效，因此限制了MOS器件尺寸的进一步缩小．