英特尔公司的45nm高k／金属栅工艺

摘要

在近期于华盛顿举行的国际电子器件会议（IEDM）上，英特尔公司相关负责人披露了该公司有关45nm高k／金属栅加工流程的某些细节，但未告知有关pFET电极金属的关键“元件”。该公司采取的是“先高k，后金属栅”办法。依然要通过高温退火以激活介电层与金属栅之间的掺杂剂，可保持其pFET晶体管的电极有合适的功函数，使该pFET的工作速度比上一代工艺快15％。