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由中强;
硅栅; 铝栅; 重掺杂; 器件; 沟道; 栅氧化层; 击穿电压; 集成电路工艺;
机译:具有双栅操作的完全耗尽型绝缘体上硅基扩展栅场效应晶体管的增强的传感特性
机译:具有金属背栅的低k绝缘体上硅绝缘金属氧化物半导体场效应晶体管的特性
机译:采用先栅工艺的常关AlGaN / GaN异质结金属-绝缘体-半导体场效应晶体管
机译:具有硅栅的绝缘栅场效应晶体管集成电路
机译:通过隧道外延,使用氮化的热氧化物作为栅绝缘体,开发自对准双栅MOSFET的工艺流程。
机译:质子辐照对常断型AlGaN / GaN栅嵌入式金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管随时间变化的介电击穿特性的影响
机译:绝缘体中硅片铁电双栅垂直隧道场效应晶体管中的单一事件瞬态效应
机译:用于集成电路的互补Gaas结栅控异质结构场效应晶体管制造
机译:绝缘栅场效应晶体管,其生产以及集成电路装置,用于绝缘栅场效应晶体管
机译:用具有非易失性存储特性的绝缘栅场效应晶体管写入,读取和擦除存储矩阵的集成电路
机译:用于对具有至少一个具有绝缘栅的场效应晶体管的集成电路进行建模的方法和装置,以及用于这种集成电路和相应集成电路的制造方法
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