首页> 中文期刊> 《微纳电子技术》 >绝缘栅场效应晶体管集成电路工艺和特性

绝缘栅场效应晶体管集成电路工艺和特性

         

摘要

本文叙述了利用多晶硅做栅电极的绝缘栅场效应晶体管集成电路的工艺和特性。在概述硅栅工艺特性之后,还评述了硅-二氧化硅-硅系统的某些基本特性,制造硅栅器件的工艺步骤,以及所制得器件的电特性。利用具有译码逻辑电路的八个通道的3705型多重开关对硅栅工艺与一般工艺进行比较。给出了硅栅工艺的设计考虑和某些设计样品。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号