世界最高の空間分解能1 nmを実現する不純物解析技術：新たなナノ計測の力でLSI開発を加速する

摘要

近年，LSIデバイスの微細化はナノスケールの領域に突入し，高精度，高空間分解能，及び高次元の分析技術への要求が高まっています。 その中でもっとも重要なテーマの一つは，不純物電荷キャリア（以下，キャリアと呼ぶ）の濃度分布を2次元的に計測する技術の開発であり，走査型広がり抵抗顕微鏡(SSRM)による計測が注目されています。 東芝は，SSRMによる測定において，導電性プローブと試料間の接触抵抗の削減や測定回路全般の最適化により，1 nmの高空間分解能を実現しました。 今回の技術は，45 nm以降の世代のプロセス開発へ既に利用されています。