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分辨率; UV技术; 节点; 光刻技术; 特征尺寸; 极紫外; EUV;
机译:SEMATECH实现了突破性的EUV掩模板缺陷减少
机译:JSR和SEMATECH作为化学放大EUV的抗蚀剂,成功实现了15nm图案分辨率
机译:Sematech将聚光灯聚焦在突破性技术上,以发现光刻投影透镜像差)
机译:EUV光刻实现在22nm节点0.099μm〜2 6-t sram细胞的22nm节点的接触和金属互连水平上的实现 - (PPT)
机译:改变本地习惯有益:将步行秤的几何形状设计为可实现生产杂交的突破。
机译:突破SpiNNaker的毫秒级障碍:以微秒分辨率实现基于事件的异步塑料模型
机译:Sematech Berkeley遇到了超过22nm的euv开发超过22nm的球场
机译:通过陡峭斜率FinFET实现模拟和RF电路性能的突破。
机译:获得定向的极紫外(EUV)辐射投影光刻技术以实现高分辨率和源定向的EUV辐射的方法
机译:扫描EUV干涉成像,可实现极高的分辨率
机译:产生用于高分辨率投影光刻的直接极紫外辐射的方法以及实现所述方法的直接EUV源
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