机译:FinFET器件的电参数色散和特性分析
FinFET; line edge roughness; parameter variability; plasma etching; technology computer aided design (TCAD);
机译:FinFET器件的电参数色散和特性分析
机译:GANFINFET和SI-FINFET纳米器件ANINDYA SHUBRO CHAKROBORTY之间的电参数性能比较
机译:纳米金属颗粒在16 nm栅极高κ/金属栅极体FinFET器件中引起电特性波动
机译:优先确定关键在线工艺参数,以优化高k金属栅体FinFET器件的电气特性
机译:用于能效的Sub-10nm双栅极FinFet的装置电路分析
机译:随机离散掺杂剂引起的具有固定顶鳍宽度的16nm栅极梯形体FinFET器件的电特性波动
机译:LDD的电气特性和无LDD的FinFET设备与14个NM技术节点兼容