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方绍明;
深圳市明微电子股份有限公司 广东 518000;
电子器件; 超高压JFET; BCD工艺; 击穿电压; 夹断电压;
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机译:siC离散功率器件 - 平面6H-siCaCCUFET的分析和优化;平面横向沟道siC垂直高功率JFET;平面横向通道mEsFET-a新型siC垂直功率器件;通过热壁化学气相沉积Chara生长
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